Технологческие процессы
|
Управление рельефом подложки SI(001) при термическом отжиге в вакуумной камере |
Родякина Е. Е.
/
Ситников С. В.
/
Рогило Д. И.
/
Латышев А. В.
|
Стр. 407-413 |
Параметры плазмы и кинетика активных частиц в смесях CF4 (CHF3)+ Ar переменного начального состава |
Ефремов А. М.
/
Kwon K.-H.
/
Мурин Д. Б.
|
Стр. 414-423 |
Диагностика
|
Контроль качества многослойной спин-туннельной структуры с использованием комбинации методов анализа |
Трушин О. С.
/
Симакин С. Г.
/
Васильев С. В.
/
Смирнов Е. А.
|
Стр. 424-430 |
Приборы
|
Исследование сплавных омических контактов к эпитаксиальным слоям арсенида галлия, легированных теллуром |
Неженцев А. В.
/
Егоркин В. И.
/
Земляков В. Е.
/
Гармаш В. И.
/
Колюжный Н. А.
/
Минтаиров С. А.
|
Стр. 431-435 |
Особенности функционирования МЭМС с четным числом электродов |
Драгунов В. П.
/
Остерак Д. И.
|
Стр. 436-450 |
Моделирование
|
Моделирование динамики интегральной диэлектрической проницаемости пористой low-k органосиликатной пленки при сухом травлении фоторезиста в O2-плазме |
Резванов А. А.
/
Горнев Е. С.
/
Гущин О. П.
/
Матюшкин И. В.
|
Стр. 451-459 |
Моделирование эффектов воздействия одиночных ядерных частиц на STGRS-триггер с разделением транзисторов на две группы |
Стенин В. Я.
/
Катунин Ю. В.
|
Стр. 460-472 |