Исследование сплавных омических контактов к эпитаксиальным слоям арсенида галлия, легированных теллуром

Рассмотрены условия роста эпитаксиальных слоёв и исследован уровень сопротивления сплавных омических контактов к слоям арсенида галлия, легированных теллуром. Использование в качестве сплавных омических контактов состава (AuGe эвтектический сплав) – Ni–Au к слоям арсенида галлия электронного типа проводимости, в том числе применение в качестве контактного слоя узкозонного (In0.5Ga0.5As) позволяет достигать сопротивления в лучших случаях около 10-7 Ом ⋅ см2, но это приводит к ухудшению морфологии поверхности. В данной работе рассмотрены вопросы легирования теллуром контактного слоя GaAs до максимальной концентрации 2.5 ⋅ 1019 см-3, при этом сопротивление омических контактов составило менее 5 ⋅ 10-8 Ом ⋅ см2, од- новременно с улучшением морфологии поверхности полупроводника.

Ключевые слова

Получено

08.12.2018

Дата публикации

08.12.2018

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Неженцев А. В. , Егоркин В. И. , Земляков В. Е. , Гармаш В. И. , Колюжный Н. А. , Минтаиров С. А. Исследование сплавных омических контактов к эпитаксиальным слоям арсенида галлия, легированных теллуром // Микроэлектроника – 2018. – Tом 47. – 6 C. 431-435 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mikelek/s207987840001836-8-1 (дата обращения: 27.04.2024). DOI: 10.31857/S054412690002769-2
MLA	Nezhentsev, A., Egorkin, V., Zemlyakov, V., Garmash, V., Kaluzhny, N., Mintairov, S. "Investigation of fused ohmic contacts to epitaxial layers of gallium arsenide alloyed by tellurium." Mikroelektronika 47.6 (2018):431-435. DOI: 10.31857/S054412690002769-2
APA	Nezhentsev A., Egorkin V., Zemlyakov V., Garmash V., Kaluzhny N., Mintairov S. (2018). Investigation of fused ohmic contacts to epitaxial layers of gallium arsenide alloyed by tellurium. Mikroelektronika 47(6), pp.431-435 DOI: 10.31857/S054412690002769-2

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1156

Оценка читателей: голосов 0

1. Данильцев В. М. и др. Сильно легированные слои GaAs: Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 11. С. 1459–1462.

2. Shen L. et al. Ohmic contacts with ultra-low optical loss on heavily doped n-type InGaAs and InGaAsP for InP-based photonic membranes //IEEE Photonics Journal. 2016. V. 8. № 1. P. 1–10.

3. Yermolayev D. M. et al. Terahertz detection in a slitgrating-gate field-effect-transistor structure //Solid-State Electronics. 2013. V. 86. P. 64–67.

4. Catalano A. P. et al. Numerical analysis of the thermal behavior sensitivity to technology parameters and operating conditions in InGaP/GaAsHBTs // Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2017 IEEE. 2017. P. 1–4.

5. Koop E. J. et al. On the annealing mechanism of AuGe/Ni/Au ohmic contacts to a two-dimensional electron gas in GaAs/AlxGa1– xAs heterostructures // Semiconductor Science and Technology. 2013. V. 28. № 2. P. 1–9.

6. Huo P., Galiana B., Rey-Stolle I. Comparison of Ti/Pd/ Ag, Pd/Ti/Pd/Ag and Pd/Ge/Ti/Pd/Ag contacts to n-type GaAs for electronic devices handling high current densities // Semiconductor Science and Technology. 2017. V. 32. № 4. P. 1–9.

7. Woodall J. M., Braslau N., Freeouf J. L. Contacts to GaAs devices // Physics of Thin Fihn. 2016. V. 13. № 13. P. 199.

8. Stringfellow G. B., Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice // 2ed edition. Academic Press, San Diego, 1999. P. 401.

9. Yu-MinHoung, Low T. S. Te doping of GaAs and AlxGa1–xAs using diethyltellurium in low pressure OMVPE // Journal of Crystal Growth. 2002. V. 77. № 3. P. 272–280.

10. Lewis C. R., Ludowise M. J., Dietze W. T. H2Se “memory effects” upon doping profiles in GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)// Journal of Electronic Materials. 1984. V. 13. № 3. P. 447–461.

11. Egorkin V. I. et al. Optimization of ohmic contacts to n-GaAs layers of heterobipolar nanoheterostructures // Russian Microelectronics. 2017. V. 46. № 4. P. 272–276.

12. Berger H. H. Models for contacts to planar devices // Sol.- State Electron. 1972. V. 15. P. 145–158.