Управление рельефом подложки SI(001) при термическом отжиге в вакуумной камере

Исследовалось влияние гомоэпитаксиального роста кремния (001) на рельеф поверхности в условиях отжига подложки пропусканием постоянного электрического тока методами in situ сверх- высоковакуумной отражательной электронной микроскопии при температуре 1100 °С и ex situ атомно-силовой микроскопии. Получена немонотонная зависимость среднего расстояния между эшелонами ступеней от величины потока атомов на поверхность в условиях роста и монотонное поведение в условиях сублимации. Обнаружено увеличение среднего расстояния между парами наклонных ступеней между эшелонами при внешнем потоке атомов, сравнимым по величине с потоком атомов, испаряющихся с поверхности в процессе сублимации.

Ключевые слова

Получено

08.12.2018

Дата публикации

08.12.2018

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Родякина Е. Е. , Ситников С. В. , Рогило Д. И. , Латышев А. В. Управление рельефом подложки SI(001) при термическом отжиге в вакуумной камере // Микроэлектроника – 2018. – Tом 47. – 6 C. 407-413 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mikelek/s207751800000053-7-1 (дата обращения: 26.04.2024). DOI: 10.31857/S054412690002766-9
MLA	Rodyakina, E., Sitnikov, S., Rogilo, D., Latyshev, A. "Control of the relief of the substrate SI (001) during thermal annealing in a vacuum chamber." Mikroelektronika 47.6 (2018):407-413. DOI: 10.31857/S054412690002766-9
APA	Rodyakina E., Sitnikov S., Rogilo D., Latyshev A. (2018). Control of the relief of the substrate SI (001) during thermal annealing in a vacuum chamber. Mikroelektronika 47(6), pp.407-413 DOI: 10.31857/S054412690002766-9

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 942

Оценка читателей: голосов 0

1. Misbah С., Pierre-Louis O., Saito Y. Crystal surfaces in and out of equilibrium: A modern view // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. P. 981–1040.

2. Latyshev A. V., Litvin L. V., Aseev A. L. Peculiarities of step bunching on Si(001) surface induced by DC heating // Appl. Surf. Sci. 1998. V. 130–132. Р. 139– 145.

3. Gibbons B. J., Nofsinger J., Pelz J. P. Influence of Si deposition on the electromigtation induced step bunching instability on Si(111) // Surf. Sci. 2005. V. 575. P. L51–L56.

4. Родякина Е. Е., Косолобов С. С., Латышев А. В. Дрейф адатомов кремния в условиях электромиграции // Письма в ЖЭ ТФ. 2011. Т. 94/2. С. 151– 156.

5. Gibbons B. J., Nofsinger J., Pelz J. P. Influence of Si deposition on the electromigtation induced step bunching instability on Si(111) // Surf. Sci. 2005. V. 575. P. L51–L56.

6. Родякина Е. Е., Косолобов С. С., Латышев А. В. Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111) // Вестник НГУ: Серия “Физика”. 2011. № 6. В. 2. С. 65–76.

7. Nielsen J., Pelz J. P., Hibino H. Hu C.-W., Tsong I. S.T. Enhanced terrace stability for Preparation of step-free Si(001)-(2х1) // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. P. 136103

8. Sato M., Uwaha M., Saito Y. Evaporation and impigment effects on drift-induced step instabilities on a Si(001) vicinal face // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 045401.

9. Latyshev A. V., Krasilnikov A. B., Aseev A. L. In situ REM study of monoatomic step behaviour on the Si(111) surface during sublimation // Ultramicroscopy. 1993. V. 48. № 4. P. 377–380.

10. Латышев А. В. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов // Дис. ... д-ра физ.-мат. наук. 1996.

11. Rodyakina E. E., Kosolobov S. S., Sheglov D.V., Nasimov D. A., Se Ahn Song, Latyshev A. V. Atomic steps on sublimating Si(001) surface observed by atomic force microscopy // Physics of Low Dimensional Structures. 2004. V. 1/2. P. 9–18.

12. Popkov V., Krug J. Dynamic phase transitions in electromigration-induced step bunching // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 235430.

13. Liu D. J., Weeks J. D. Quantitative theory of currentinduced step bunching on Si(111) // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. № 23. P. 14891–14899.

14. Frish T., Verga A. Kinetic step bunching instability during surface growth // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 94. P. 226102.

15. Krug J., Tonchev V., Stoyanov S., Pimpinelli A.. Scaling properties of step bunches induced by sublimation and related mechanisms // Phys. Rev. B. (2005). V. 71. P. 045412.