Приборы
|
Особенности протекания фототока в инжекционных структурах на основе пленок PbSnTe:In |
Ищенко Д. В.
/
Неизвестный И. Г.
/
Пащин Н. С.
/
Шерстякова В. Н.
|
Стр. 3-6 |
Тонкопленочная платформа для химических газовых сенсоров |
Росляков И. В. -
/
Напольский К. С.
/
Столяров В. С.
/
Карпов Е. Е.
/
Ивашев А. В.
/
Суртаев В. Н.
|
Стр. 7-15 |
Технологические процессы микро- и наноэлектроники
|
Структурирование меди в плазменной среде ВЧ-разряда |
Дунаев А. В.
/
Мурин Д. Б.
|
Стр. 16-20 |
О влиянии соотношения концентраций фторуглеродных компонентов в смеси CF4+C4F8+Ar на параметры плазмы и селективность травления SIO2/Si |
Ефремов А. М.
/
Kwon K.-H.
/
Мурин Д. Б.
|
Стр. 21-27 |
Влияние состава смеси на электрофизические параметры плазмы HCL/N2 |
Пивоваренок С. А.
|
Стр. 28-31 |
Диагностика
|
Влияние распределения радиационных дефектов на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния |
Яфаров Р. К.
/
Тимошенков В. П.
|
Стр. 32-39 |
Моделирование
|
Моделирование характеристик двух затворных ассиметрично-легированных КНИ КМОП нанотранзисторов |
Масальский Н. В.
|
Стр. 40-48 |
Квантовые технологии
|
Квантовые логические операции на спиновых состояниях в непрерывном СВЧ-поле |
Зиновьева А. Ф.
/
Двуреченский А. В.
/
Горнов А. Ю.
/
Зароднюк Т. С.
/
Кошкарев А. А.
/
Ненашев А. В.
|
Стр. 49-58 |