Выпуск 4


  • Том: 47
  • Номер журнала: 4

Оглавление

Заголовок Автор(ы) Страницы
Приборы
Особенности протекания фототока в инжекционных структурах на основе пленок PbSnTe:In Ищенко Д. В. / Неизвестный И. Г. / Пащин Н. С. / Шерстякова В. Н. Стр. 3-6
Тонкопленочная платформа для химических газовых сенсоров Росляков И. В. - / Напольский К. С. / Столяров В. С. / Карпов Е. Е. / Ивашев А. В. / Суртаев В. Н. Стр. 7-15
Технологические процессы микро- и наноэлектроники
Структурирование меди в плазменной среде ВЧ-разряда Дунаев А. В. / Мурин Д. Б. Стр. 16-20
О влиянии соотношения концентраций фторуглеродных компонентов в смеси CF4+C4F8+Ar на параметры плазмы и селективность травления SIO2/Si Ефремов А. М. / Kwon K.-H. / Мурин Д. Б. Стр. 21-27
Влияние состава смеси на электрофизические параметры плазмы HCL/N2 Пивоваренок С. А. Стр. 28-31
Диагностика
Влияние распределения радиационных дефектов на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния Яфаров Р. К. / Тимошенков В. П. Стр. 32-39
Моделирование
Моделирование характеристик двух затворных ассиметрично-легированных КНИ КМОП нанотранзисторов Масальский Н. В. Стр. 40-48
Квантовые технологии
Квантовые логические операции на спиновых состояниях в непрерывном СВЧ-поле Зиновьева А. Ф. / Двуреченский А. В. / Горнов А. Ю. / Зароднюк Т. С. / Кошкарев А. А. / Ненашев А. В. Стр. 49-58

Система Orphus

Загрузка...
Вверх