Влияние распределения радиационных дефектов на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния

Аффилиация: Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской АН
Адрес: Российская Федерация, Саратов, 410019, ул. Зеленая, 38

Тимошенков В. П.

Аффилиация: Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Адрес: Российская Федерация, Зеленоград, 124498, площадь Шокина, д. 1

Название журнала

Микроэлектроника

Выпуск

Том 47 4

Страницы

32-39

Аннотация

Исследованы корреляционные закономерности изменений структурно — фазового состава, морфологических и автоэмиссионных характеристик поверхностно структурированных кристаллов кремния р- и n-типов проводимости при ступенчатой высокодозной ионно-лучевой обработке углеродом. Показано, что ступенчатая ионная имплантация атомов углерода в поверхностно структурированные с использованием нелитографических углеродных масочных покрытий пластины кремния позволяет уменьшить пороги начала автоэмиссии и увеличить плотности максимальных автоэмиссионных токов, по сравнению с эмиттерными решетками, изготовленными с использованием традиционных микротехнологий более, чем на два порядка. Рассмотрены физико-химические механизмы, ответственные за модификацию приповерхностных свойств кремниевых структур при ионной имплантации углерода.

Ключевые слова

Источник финансирования

Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект №16-19-10033).

Получено

14.10.2018

Дата публикации

15.10.2018

Кол-во символов

823

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Яфаров Р. . , Тимошенков В. . Влияние распределения радиационных дефектов на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния // Микроэлектроника – 2018. – Tом 47. – 4 C. 32-39 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mikelek/s207987840000884-1-1 (дата обращения: 27.04.2024). DOI: 10.31857/S054412690001651-3
MLA	Yafarov, R. K, Timoshenkov, V. P. "Effect of the Distribution of the Radiation Defect on the Field-Emission Properties of Silicon Crystals." Mikroelektronika 47.4 (2018):32-39. DOI: 10.31857/S054412690001651-3
APA	Yafarov R., Timoshenkov V. (2018). Effect of the Distribution of the Radiation Defect on the Field-Emission Properties of Silicon Crystals. Mikroelektronika 47(4), pp.32-39 DOI: 10.31857/S054412690001651-3

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 963

Оценка читателей: голосов 0

1. Velásquez-García L. F., Guerrera S. , Niu Y., Akinwande A. I. Uniform High-Current Cathodes Using Massive Arrays of Si Field Emitters Individually Controlled by Vertical Si Ungated FETs — Part 2: Device Fabrication and Characterization // IEEE Transactions in Electron Devices 58 (2011). 1783.

2. Гуляев Ю. B., Абаньшин Н. П., Горфинкель Б. И., Морев С. П., Резчиков А. Ф., Синицын Н. И., Якунин А. Н. Новые решения для создания перспективных приборов на основе низковольтной полевой эмиссии наноразмерных структур // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 11. С. 63–70.

3. Fei Zhao, Jian-hua Deng, Dan-dan Zhao, Ke-fan Chen, Guo-an Cheng, and Rui-ting Zheng. Structures and Field Emission Characteristics of Ion Irradiated Silicon Nanowire Arrays J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 7634–7638 (2010).

4. Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я. Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке // ФТП, 2017. Т. 51. Вып. 4. С. 558–562.

5. Бобовников П. Г., Ермаков А. С., Матюшкин И. В., Орлов С. Н., Свечкарев К. П., Шелепин Н. А., Михайлов А. Н., Белов А. И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на нее образующихся суб-оксидных SiOх-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiC-нанопротрузий. Обзор // Известия вузов. Электроника. 2013. № 5 (103). С. 3–13.

6. Алмазы в электронной технике: Сб. ст. / под ред. В. Б. Кваскова. М.: Энергоатомиздат. 1990. 248 с.

7. Герасименко Н. Н., Пархоменко Ю. Н. Кремний — материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007. 351 с.

8. Технология СБИС: в 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. / род ред. С. Зи. М.: Мир. 1986. 404 с.

9. Нусупов К. Х., Бейсенханов Н. Б., Валитова И. В., Дмитриева Е. А., Жумагалиулы Д., Шиленко Е. А. Структурные исследования тонких слоев кремния, многократно имплантированных ионами углерода // ФТТ. 2006. Т. 48. № 7. С. 1187–1199.

10. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука. 2006. 490 с.