Особенности протекания фототока в инжекционных структурах на основе пленок PbSnTe:In

В работе исследованы особенности ВАХ p-i-p- структур на основе пленок Pb_1-xSn_xTe, легированных индием, с содержанием олова х ≈ 0.31, в которых наблюдается переход «металл-диэлектрик». Показано, что при оптическом преобладает захват электронов на уровни, и фототок является дырочным. Приведено сравнение экспериментальных данных с расчетом.

Ключевые слова

Источник финансирования

Работа выполнена при частичной поддержке гранта РФФИ (№ 17-02-00575).

Получено

14.10.2018

Дата публикации

15.10.2018

Кол-во символов

356

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Ищенко Д. В. , Неизвестный И. Г. , Пащин Н. . , Шерстякова В. . Особенности протекания фототока в инжекционных структурах на основе пленок PbSnTe:In // Микроэлектроника – 2018. – Tом 47. – 4 C. 3-6 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mikelek/s207987840000842-5-1 (дата обращения: 27.04.2024). DOI: 10.31857/S054412690001608-5
MLA	Ishchenko, D. V, Neizvestny, I.G, Pashchin, N.S, Sherstyakova, V. N. "Features of the Current Flow in Injection Structures Based on PbSnTe:In Films." Mikroelektronika 47.4 (2018):3-6. DOI: 10.31857/S054412690001608-5
APA	Ishchenko D., Neizvestny I., Pashchin N., Sherstyakova V. (2018). Features of the Current Flow in Injection Structures Based on PbSnTe:In Films. Mikroelektronika 47(4), pp.3-6 DOI: 10.31857/S054412690001608-5

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1049

Оценка читателей: голосов 0

1. Вул Б. М., Воронова И. Д., Калюжная Г. А., Мамедов Т. С., Рагимова Т. Ш. Особенности явлений переноса в Pb0.78Sn0.22Te с большим содержанием индия // ПЖЭТФ. 1979. Т. 29. В. 1. С. 21–25.

2. Khokhlov D. R., Ivanchik I. I. et al. Performance and spectral response of Pb1-xSnxTe(In) far-infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. №. 20. P. 2835–2837.

3. Акимов А. Н., Ищенко Д. В., Климов А. Э., Неизвестный И. Г., Пащин Н. С., Шерстякова В. Н., Шумский В. Н., Эпов В. С. Приемники излучения в терагерцовом диапазоне на основе пленок Pb1-xSnxTe:In // Автометрия. 2013. Т. 49. № 5. С. 86–92.

4. Акимов А. Н., Ерков В. Г., Климов А. Э., Молодцова Е. Л., Супрун С. П., Шумский В. Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe // ФТП. 2005. Т. 39. В. 5. С. 563–568.

5. Акимов А. Н., Ищенко Д. В., Климов А. Э., Неизвестный И. Г., Пащин Н. С., Шерстякова В. Н., Шумский В. Н. Влияние материала инжектирующих контактов на ВАХ пленок Pb1-xSnxTe:In. // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 2. С. 88–92.

6. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах // М.: Мир. Т. 1. 1982. 368 с.

7. Гантмахер В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах // М. Физматлит. 2013. 290 с.

8. Климов А. Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSbxTe в области собственного поглощения // ФТП. 2008. Т. 42. В. 2. С. 147–152.

9. Ищенко Д. В., Неизвестный И. Г. Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон // ФТП. 2018. Принята к печати.

10. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах // М.: Мир. 1973. 416 с.