Структурирование меди в плазменной среде ВЧ-разряда

Аффилиация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Ивановский государственный химико-технологический университет»
Адрес: Российская Федерация, Иваново, 153000, Шереметевский пр., д. 7

Мурин Д. Б.

Название журнала

Микроэлектроника

Выпуск

Том 47 4

Страницы

16-20

Аннотация

В настоящее время медь является приоритетным материалом для формирования межэлементных соединений и разводок в кремниевых ИМС. Кроме того, медь находит широкое применение при создании гибких печатных плат и многослойных гибридных ИМС. В данной работе для травления меди в качестве плазмообразующей среды был использован фреон R-12 — CCl₂F₂. Фреон R-12 играет важную роль в промышленности плазменного травления, обеспечивая при этом необходимые для процесса технологические параметры.

В представленной статье проведено экспериментальное исследование особенностей взаимодействия поверхности меди с фреоном R-12, а также влияния времени обработки и внешних параметров плазмы (температура, мощность смещения, вкладываемая мощность, давление газа) на качество приповерхностного слоя меди.

Ключевые слова

Источник финансирования

Работа выполнена в рамках Государственного задания (проектная часть), проект № (3.1371.2017/4.6 — Рыбкин В. В.).

Дата публикации

15.10.2018

Кол-во символов

784

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Дунаев А. . , Мурин Д. . Структурирование меди в плазменной среде ВЧ-разряда // Микроэлектроника – 2018. – Tом 47. – 4 C. 16-20 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mikelek/s207987840000847-0-1 (дата обращения: 27.04.2024). DOI: 10.31857/S054412690001613-1
MLA	Dunaev, A. V., Murin, D. B. "Structuring Copper in the Plasma Medium of a High-Frequency Discharge." Mikroelektronika 47.4 (2018):16-20. DOI: 10.31857/S054412690001613-1
APA	Dunaev A., Murin D. (2018). Structuring Copper in the Plasma Medium of a High-Frequency Discharge. Mikroelektronika 47(4), pp.16-20 DOI: 10.31857/S054412690001613-1

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1010

Оценка читателей: голосов 0

1. Пасынков В. В., Сорокин В. С. Материалы электронной техники: уч. для студ. вузов по спец. электронной техники. СПб. : Лань. 2001. C. 368.

2. Christophorou L. G., Olthoff J. K., Wang Y. J. Electron Interaction with CCl2F2 // Phys. Chem. Ref. Data. 1997. V. 26. No 5. P. 1205–1237.

3. Stoffels W. W., Stoffels E., Haverlag M. The chemistry of a CCl2F2 radio frequency discharge // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V. 13. No 4. P. 2058–2066.

4. Lee S.-K., Chun S.-S., Hwang C., Lee W.-J. Reactive ion etching mechanism of copper film in chlorine-based electron cyclotron resonance plasma // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 50–55.

5. Дунаев А. В., Мурин Д. Б. Кинетика травления меди в ВЧ разряде фреона R 12 // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. № 4. С. 284–289.

6. Дунаев А. В. Исследование поверхности GaAs после травления в плазме смесей HCl/Ar, HCl/Cl2, HCl/H2, методом атомно-силовой микроскопии // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 1. С. 17–22.

7. Rawal D. S., Sehgal B. K., Muralidharan R., Malik H. K. Experimental Study of the Influence of Process Pressure and Gas Composition on GaAs Etching Characteristics in Cl2/BCl3-Based Inductively Coupled Plasma // Plasma Science and Technology. V. 13. No 2. 2011. P. 223–229.

8. Efremov A. M., Pivovarenok S. A., Svettsov V. I. Kinetics and Mechanism of Cl2 or HCl Plasma Etching of Copper // Thin Films. 2007. V. 36. No 6. P. 358–365.