Исследование процесса сквозного плазмохимического травления HkMG стека нанотранзистора с критическим размером 32 нм

Мяконьких А. В.; Куваев К. Ю.; Татаринцев А. А. .; Орликовский Н. А. .; Руденко К. В. .; Гущин О. П. .; Горнев Е. С. .

doi:10.31857/S054412690001736-6

Главная

Микроэлектроника

Исследование процесса сквозного плазмохимического травления HkMG стека нанотранзистора с критическим размером 32 нм

Аннотация
Оценка
Библиография

Исследование процесса сквозного плазмохимического травления HkMG стека нанотранзистора с критическим размером 32 нм

Код статьи

S054412690001736-6-1

DOI

10.31857/S054412690001736-6

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Мяконьких А. В.

Аффилиация: Физико-технологический институт Российской АН
Адрес: 117218, Москва, Нахимовский проспект, 36, корп. 1

Куваев К. Ю.

Аффилиация: Физико-технологический институт Российской АН
Адрес: Российская Федерация

Татаринцев А. А.

Аффилиация: Физико-технологический институт Российской АН
Адрес: Российская Федерация

Орликовский Н. А.

Аффилиация: Физико-технологический институт Российской АН
Адрес: Российская Федерация

Руденко К. В.

Аффилиация:
Адрес: Российская Федерация

Гущин О. П.

Аффилиация: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (АО “НИИМЭ”)
Адрес: Российская Федерация

Горнев Е. С.

Название журнала

Микроэлектроника

Выпуск

Том 47 5

Страницы

44-50

Аннотация

Исследованы процессы плазмохимического травления слоев стека для формирования структуры металлического затвора нанотранзистора с диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (HkMG). При травлении использовалась резистная маска, созданная методом электронной литографии высокого разрешения. Плазмохимическое травление слоев стека проведено в едином технологическом цикле травления без разрыва вакуума. Исследован процесс последовательного анизотропного травления стека из поликремния, нитрида тантала, нитрида гафния и процесс травления подзатворного диэлектрика на основе оксида гафния с высокой селективностью по отношению к нижележащему кристаллическому кремнию, гарантирующий полное удаление слоя оксида гафния и минимальный потери слоя кремния (не более 0,5 нм).

Ключевые слова

Дата публикации

28.10.2018

Кол-во символов

783

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Мяконьких А. , Куваев К. , Татаринцев А. . , Орликовский Н. . , Руденко К. . , Гущин О. . , Горнев Е. . Исследование процесса сквозного плазмохимического травления HkMG стека нанотранзистора с критическим размером 32 нм // Микроэлектроника – 2018. – Tом 47. – 5 C. 44-50 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mikelek/s207987840000970-6-1 (дата обращения: 06.05.2024). DOI: 10.31857/S054412690001736-6
MLA	Myakonkikh, A. V., Kuvaev, K. Yu., Tatarintsev, A. A., Orlikovskii, N. A., Rudenko, K. V, Guschin, O. P., Gornev, E. S. "Investigation of the Process of Plasma Through Etching of HkMG Stack of Nanotransistor with a 32-nm Critical Dimension." Mikroelektronika 47.5 (2018):44-50. DOI: 10.31857/S054412690001736-6
APA	Myakonkikh A., Kuvaev K., Tatarintsev A., Orlikovskii N., Rudenko K., Guschin O., Gornev E. (2018). Investigation of the Process of Plasma Through Etching of HkMG Stack of Nanotransistor with a 32-nm Critical Dimension. Mikroelektronika 47(5), pp.44-50 DOI: 10.31857/S054412690001736-6

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1245

Оценка читателей: голосов 0

1. Руденко К. В., Мяконьких А. В., Рогожин А. Е., Гущин О. П., Гвоздев В. А. процессы атомно-слоевого осаждения для формирования структуры затворного hkmg-стека с минимальным топологическим размером 32 нм. микроэлектроника, 2018. Т. 47. № 1. С. 3–13.

2. Frank M. M. high-k/metal gate innovations enabling continued CmOs scaling. Proceedings of the European solid-state Device Research Conference (EssDERC), 2011. Р. 25–33.

3. Nam S.-W., Rooks M.J., Yang J.K. W. et al. Contrast enhancement behavior of hydrogen silsesquioxane in a salty developer, J. Vac. sci. Technol. B, 2009, 27 (6).

4. Мяконьких А. В., Орликовский Н. А., Рогожин А. Е., Руденко К.В., Татаринцев А. А. Влияние дозы экспонирования на стойкость негативного электронного резиста hsQ в процессах плазмохимического и химического травления микроэлектроника, 2018. Т. 47. № 3. С. 157–164.

5. Shamiryan D. et al.: TaN metal gate etch mechanisms in BCl3-based plasmas. J. Vac. sci. Technol. A, 2010, Vol. 28. № 2. Р. 302. 6.

6. Kitagawa T. et. al. Etching of high-k Dielectric hfO2 Films in BCl3-Containing Plasmas Enhanced with O2 Addition, Japanese Journal of Applied Physics, 2006. Vol. 45. № 10. Р. L297–L300.

7. Shamiryan D., Baklanov M., Claes M. et al selective removal of high-k gate dielectrics, Chemical Engineering Communications, 2009. Vol. 196. № 12. Р. 1475.