всего просмотров: 1280
Оценка читателей: голосов 0
1. Руденко К. В., Мяконьких А. В., Рогожин А. Е., Гущин О. П., Гвоздев В. А. процессы атомно-слоевого осаждения для формирования структуры затворного hkmg-стека с минимальным топологическим размером 32 нм. микроэлектроника, 2018. Т. 47. № 1. С. 3–13.
2. Frank M. M. high-k/metal gate innovations enabling continued CmOs scaling. Proceedings of the European solid-state Device Research Conference (EssDERC), 2011. Р. 25–33.
3. Nam S.-W., Rooks M.J., Yang J.K. W. et al. Contrast enhancement behavior of hydrogen silsesquioxane in a salty developer, J. Vac. sci. Technol. B, 2009, 27 (6).
4. Мяконьких А. В., Орликовский Н. А., Рогожин А. Е., Руденко К.В., Татаринцев А. А. Влияние дозы экспонирования на стойкость негативного электронного резиста hsQ в процессах плазмохимического и химического травления микроэлектроника, 2018. Т. 47. № 3. С. 157–164.
5. Shamiryan D. et al.: TaN metal gate etch mechanisms in BCl3-based plasmas. J. Vac. sci. Technol. A, 2010, Vol. 28. № 2. Р. 302. 6.
6. Kitagawa T. et. al. Etching of high-k Dielectric hfO2 Films in BCl3-Containing Plasmas Enhanced with O2 Addition, Japanese Journal of Applied Physics, 2006. Vol. 45. № 10. Р. L297–L300.
7. Shamiryan D., Baklanov M., Claes M. et al selective removal of high-k gate dielectrics, Chemical Engineering Communications, 2009. Vol. 196. № 12. Р. 1475.