Investigation of the Process of Plasma Through Etching of HkMG Stack of Nanotransistor with a 32-nm Critical Dimension

 
PIIS054412690001736-6-1
DOI10.31857/S054412690001736-6
Publication type Article
Status Published
Authors
Affiliation: Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences
Address: Russian Federation
Affiliation: Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences
Address: Russian Federation
Affiliation: Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences
Address: Russian Federation
Affiliation: Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences
Address: Russian Federation
Affiliation:
Address: Russian Federation
Affiliation: Research Institute of Molecular Electronics (JSC “NIIME”)
Address: Russian Federation
Affiliation: Research Institute of Molecular Electronics (JSC “NIIME”)
Address: Russian Federation
Journal nameMikroelektronika
EditionVolume 47 5
Pages44-50
Abstract

  

Keywords
Publication date28.10.2018
Number of characters783
Cite   Download pdf To download PDF you should sign in
Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной

views: 1246

Readers community rating: votes 0

1. Руденко К. В., Мяконьких А. В., Рогожин А. Е., Гущин О. П., Гвоздев В. А. процессы атомно-слоевого осаждения для формирования структуры затворного hkmg-стека с минимальным топологическим размером 32 нм. микроэлектроника, 2018. Т. 47. № 1. С. 3–13.

2. Frank M. M. high-k/metal gate innovations enabling continued CmOs scaling. Proceedings of the European solid-state Device Research Conference (EssDERC), 2011. Р. 25–33.

3. Nam S.-W., Rooks M.J., Yang J.K. W. et al. Contrast enhancement behavior of hydrogen silsesquioxane in a salty developer, J. Vac. sci. Technol. B, 2009, 27 (6).

4. Мяконьких А. В., Орликовский Н. А., Рогожин А. Е., Руденко К.В., Татаринцев А. А. Влияние дозы экспонирования на стойкость негативного электронного резиста hsQ в процессах плазмохимического и химического травления микроэлектроника, 2018. Т. 47. № 3. С. 157–164.

5. Shamiryan D. et al.: TaN metal gate etch mechanisms in BCl3-based plasmas. J. Vac. sci. Technol. A, 2010, Vol. 28. № 2. Р. 302. 6.

6. Kitagawa T. et. al. Etching of high-k Dielectric hfO2 Films in BCl3-Containing Plasmas Enhanced with O2 Addition, Japanese Journal of Applied Physics, 2006. Vol. 45. № 10. Р. L297–L300.

7. Shamiryan D., Baklanov M., Claes M. et al selective removal of high-k gate dielectrics, Chemical Engineering Communications, 2009. Vol. 196. № 12. Р. 1475.

Система Orphus

Loading...
Up