Выпуск 5


  • Том: 47
  • Номер журнала: 5

Оглавление

Заголовок Автор(ы) Страницы
Квантовые компьютеры
Реализация двухкубитного квантового вентиля C-NOT в системе из двух двойных квантовых точек, микрорезонатора и лазера Чекмачев В. Г. / Цуканов А. В. Стр. 3-13
Приборы и интегральные схемы
Аналитическая модель пролетных диодов и транзисторов для генерации и детектирования терагерцового излучения Вьюрков В. В. / Руденко К. В. / Руденко М. К. / Семенихин И.А. / Немцов А. Б. / Хабутдинов Р. Р. / Лукичев В. Ф. Стр. 14-21
Исследование конденсаторной матрицы ёмкостной композитной сенсорной панели Терентьев Д. С. / Шахнов В. А. / Власов А. И. / Кривошеин А. И. Стр. 22-29
Исследование характеристик мэмс-переключателя электростатического типа с механизмом активного размыкания Уваров И. В. / Куприянов А. Н. Стр. 30-37
Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах Бенедиктов А. С. / Потупчик А. Г. / Михайлов А. А. / Игнатов П. В. Стр. 38-43
Технологические процессы микро- и наноэлектроники
Исследование процесса сквозного плазмохимического травления HkMG стека нанотранзистора с критическим размером 32 нм Мяконьких А. В. / Куваев К. Ю. / Татаринцев А. А. / Орликовский Н. А. / Руденко К. В. / Гущин О. П. / Горнев Е. С. Стр. 44-50
Применение технологии пучков быстрых нейтральных частиц в микро- и наноэлектронике Кудря В. П. / Маишев Ю. П. Стр. 51-63
Модель процесса химико-механического полирования медной металлизации, основанная на формировании пассивирующего слоя Сарычев М. Е. / Махвиладзе Т. М. Стр. 64-73
Наносекундный импульсный отжиг сильно легированных слоев Ge:Sb на Ge подложках Баталов Р. И. / Баязитов Р. М. / Новиков Г. А. / Файзрахманов И. А. / Шустов В. А. / Ивлев Г. Д. Стр. 74-82

Система Orphus

Загрузка...
Вверх