Квантовые компьютеры
|
Реализация двухкубитного квантового вентиля C-NOT в системе из двух двойных квантовых точек, микрорезонатора и лазера |
Чекмачев В. Г.
/
Цуканов А. В.
|
Стр. 3-13 |
Приборы и интегральные схемы
|
Аналитическая модель пролетных диодов и транзисторов для генерации и детектирования терагерцового излучения |
Вьюрков В. В.
/
Руденко К. В.
/
Руденко М. К.
/
Семенихин И.А.
/
Немцов А. Б.
/
Хабутдинов Р. Р.
/
Лукичев В. Ф.
|
Стр. 14-21 |
Исследование конденсаторной матрицы ёмкостной композитной сенсорной панели |
Терентьев Д. С.
/
Шахнов В. А.
/
Власов А. И.
/
Кривошеин А. И.
|
Стр. 22-29 |
Исследование характеристик мэмс-переключателя электростатического типа с механизмом активного размыкания |
Уваров И. В.
/
Куприянов А. Н.
|
Стр. 30-37 |
Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах |
Бенедиктов А. С.
/
Потупчик А. Г.
/
Михайлов А. А.
/
Игнатов П. В.
|
Стр. 38-43 |
Технологические процессы микро- и наноэлектроники
|
Исследование процесса сквозного плазмохимического травления HkMG стека нанотранзистора с критическим размером 32 нм |
Мяконьких А. В.
/
Куваев К. Ю.
/
Татаринцев А. А.
/
Орликовский Н. А.
/
Руденко К. В.
/
Гущин О. П.
/
Горнев Е. С.
|
Стр. 44-50 |
Применение технологии пучков быстрых нейтральных частиц в микро- и наноэлектронике |
Кудря В. П.
/
Маишев Ю. П.
|
Стр. 51-63 |
Модель процесса химико-механического полирования медной металлизации, основанная на формировании пассивирующего слоя |
Сарычев М. Е.
/
Махвиладзе Т. М.
|
Стр. 64-73 |
Наносекундный импульсный отжиг сильно легированных слоев Ge:Sb на Ge подложках |
Баталов Р. И.
/
Баязитов Р. М.
/
Новиков Г. А.
/
Файзрахманов И. А.
/
Шустов В. А.
/
Ивлев Г. Д.
|
Стр. 74-82 |