Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах

Бенедиктов А. С.; Потупчик А. Г. .; Михайлов А. А. .; Игнатов П. В. .

doi:10.31857/S054412690001735-5

Главная

Микроэлектроника

Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах

Аннотация
Оценка
Библиография

Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах

Код статьи

S054412690001735-5-1

DOI

10.31857/S054412690001735-5

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Бенедиктов А. С.

Аффилиация: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники
Адрес: 124460, Россия, Москва, Зеленоград, 1-й Западный проезд, д. 12/1

Потупчик А. Г.

Аффилиация: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники
Адрес: Российская Федерация

Михайлов А. А.

Аффилиация: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники
Адрес: Российская Федерация

Игнатов П. В.

Аффилиация: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники
Адрес: Российская Федерация

Название журнала

Микроэлектроника

Выпуск

Том 47 5

Страницы

38-43

Аннотация

Дана оценка основных параметров КНИ МОП-транзисторов, изготовленных по технологии 0,18 мкм в диапазоне температур от минус 60 до 300°С и исследование их надёжности при высоких температурах. Выявленные особенности КНИ МОП-транзисторов, которые проявляются при высоких температурах, необходимо учитывать при проектировании высокотемпературных ИС с целью избежания преждевременных отказов и повышения надёжности устройств.

Ключевые слова

Дата публикации

28.10.2018

Кол-во символов

431

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Бенедиктов А. , Потупчик А. . , Михайлов А. . , Игнатов П. . Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах // Микроэлектроника – 2018. – Tом 47. – 5 C. 38-43 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mikelek/s054412690001735-5-1 (дата обращения: 05.05.2024). DOI: 10.31857/S054412690001735-5
MLA	Benediktov, A. S., Potupchik, A. G., Mikhailov, A. A., Ignatov, P. V. "Reliability Investigation of 0.18-μm SOI MOS Transistors at High Temperatures." Mikroelektronika 47.5 (2018):38-43. DOI: 10.31857/S054412690001735-5
APA	Benediktov A., Potupchik A., Mikhailov A., Ignatov P. (2018). Reliability Investigation of 0.18-μm SOI MOS Transistors at High Temperatures. Mikroelektronika 47(5), pp.38-43 DOI: 10.31857/S054412690001735-5

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1060

Оценка читателей: голосов 0

1. Blalock B., Huque C., Tolbert L., et al. silicon-on-Insulator Based high Temperature Electronics for Automotive Applications // IEEE International symposium on Industrial Electronics. 2008.

2. Mehdi A. E. I., Brockschmidt K. K. J. A Case for high Temperature Electronics for Aerospace / ImAPs Int`l. Conference on high Temperature Electronics (hiTEC). may 2006.

3. Ватсон Дж., Кастро Г. Особенности применения электронных компонентов при температурах

4. свыше 150 °С // Электронные компоненты и системы. 2012. № 7. С. 3–10.

5. Кастро Г., Уотсон Дж. проблемы проектирования и надежности высокотемпературной электроники // компоненты и технологии. 2012. № 11.

6. Полищук А. полупроводниковые приборы на основе карбида кремния – настоящее и будущее силовой электроники // компоненты и технологии. 2004. № 8. С. 40 –45.

7. Красников Г. Я., Лукасевич М. И.,Сулимин А. Д. Структура – кремний на изоляторе для сбис (варианты). патент на изобретение RUs 2149482. номер заявки: 98123896/28. дата регистрации: 30.12.1998. Опубликовано: 20.05.2000. мпк: h01L27/12

8. Neudeck Ph. G., Chen L.-Y. high-Temperature Electronics–ARoleforWideBandgapsemiconductors /Ph. g. Neudecketal.//Proc. Ofthe IEEE. – 2002. – V. 90. № 6. Р. 1065–1076.

9. JEsD35-A. Procedure for the wafer-level testing of thin dielectrics. – EIA/JEDEC. April. 2001. P. 47. Режим доступа: http://www.jedec.org/, 01.08.2016, свободный.

10. Strong A. W., Wu E. Y., Vollertsen R.-P., Sune J., La Rosa J., Sullivan T. D., Rauch III S. E. Reliability wear out mechanism sin advanced CmOs technologies / A. W. strongetal // Reading : IEEE-Wiley. 2009. ch. 2. Р. 624.

11. Rosenbaum E., King J. C., Hu Ch. Accelerated testing of siO2 reliability/ E. Rosenbaum // IEEE. 1996. V. 43. № 1. P. 70–80.

12. Takeda E., Suzuki N. An empirical model for device degradation due to hot-carrier injection / E.Takeda // IEEE El. Dev. Lett. 1983. V. 4. № 4. P .111–113.

13. JEsD28-A. Procedure for measuring N-channelmOsFET hot-carrier-induced degradation under DC stress.

14. EIA/JEDEC. December. 2001. P. 20. Режим доступа: http://www.jedec.org/, 01.08.2016, свободный.

15. JEsD60A. Procedure for measuring P-channelmOsFET hot-carrier-induced degradation under DC stress. EIA/JEDEC. september. 2004. P. 24. Режим доступа: http://www.jedec.org/, 01.08.2016, свободный.