1. Вул Б. М., Воронова И. Д., Калюжная Г. А., Мамедов Т. С., Рагимова Т. Ш. Особенности явлений переноса в Pb0.78Sn0.22Te с большим содержанием индия // ПЖЭТФ. 1979. Т. 29. В. 1. С. 21–25.
2. Khokhlov D. R., Ivanchik I. I. et al. Performance and spectral response of Pb1-xSnxTe(In) far-infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. №. 20. P. 2835–2837.
3. Акимов А. Н., Ищенко Д. В., Климов А. Э., Неизвестный И. Г., Пащин Н. С., Шерстякова В. Н., Шумский В. Н., Эпов В. С. Приемники излучения в терагерцовом диапазоне на основе пленок Pb1-xSnxTe:In // Автометрия. 2013. Т. 49. № 5. С. 86–92.
4. Акимов А. Н., Ерков В. Г., Климов А. Э., Молодцова Е. Л., Супрун С. П., Шумский В. Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe // ФТП. 2005. Т. 39. В. 5. С. 563–568.
5. Акимов А. Н., Ищенко Д. В., Климов А. Э., Неизвестный И. Г., Пащин Н. С., Шерстякова В. Н., Шумский В. Н. Влияние материала инжектирующих контактов на ВАХ пленок Pb1-xSnxTe:In. // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 2. С. 88–92.
6. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах // М.: Мир. Т. 1. 1982. 368 с.
7. Гантмахер В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах // М. Физматлит. 2013. 290 с.
8. Климов А. Э., Шумский В. Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSbxTe в области собственного поглощения // ФТП. 2008. Т. 42. В. 2. С. 147–152.
9. Ищенко Д. В., Неизвестный И. Г. Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон // ФТП. 2018. Принята к печати.
10. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах // М.: Мир. 1973. 416 с.