1. Velásquez-García L. F., Guerrera S. , Niu Y., Akinwande A. I. Uniform High-Current Cathodes Using Massive Arrays of Si Field Emitters Individually Controlled by Vertical Si Ungated FETs — Part 2: Device Fabrication and Characterization // IEEE Transactions in Electron Devices 58 (2011). 1783.
2. Гуляев Ю. B., Абаньшин Н. П., Горфинкель Б. И., Морев С. П., Резчиков А. Ф., Синицын Н. И., Якунин А. Н. Новые решения для создания перспективных приборов на основе низковольтной полевой эмиссии наноразмерных структур // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 11. С. 63–70.
3. Fei Zhao, Jian-hua Deng, Dan-dan Zhao, Ke-fan Chen, Guo-an Cheng, and Rui-ting Zheng. Structures and Field Emission Characteristics of Ion Irradiated Silicon Nanowire Arrays J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 7634–7638 (2010).
4. Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я. Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке // ФТП, 2017. Т. 51. Вып. 4. С. 558–562.
5. Бобовников П. Г., Ермаков А. С., Матюшкин И. В., Орлов С. Н., Свечкарев К. П., Шелепин Н. А., Михайлов А. Н., Белов А. И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на нее образующихся суб-оксидных SiOх-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiC-нанопротрузий. Обзор // Известия вузов. Электроника. 2013. № 5 (103). С. 3–13.
6. Алмазы в электронной технике: Сб. ст. / под ред. В. Б. Кваскова. М.: Энергоатомиздат. 1990. 248 с.
7. Герасименко Н. Н., Пархоменко Ю. Н. Кремний — материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007. 351 с.
8. Технология СБИС: в 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. / род ред. С. Зи. М.: Мир. 1986. 404 с.
9. Нусупов К. Х., Бейсенханов Н. Б., Валитова И. В., Дмитриева Е. А., Жумагалиулы Д., Шиленко Е. А. Структурные исследования тонких слоев кремния, многократно имплантированных ионами углерода // ФТТ. 2006. Т. 48. № 7. С. 1187–1199.
10. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука. 2006. 490 с.