views: 1014
Readers community rating: votes 0
1. Пасынков В. В., Сорокин В. С. Материалы электронной техники: уч. для студ. вузов по спец. электронной техники. СПб. : Лань. 2001. C. 368.
2. Christophorou L. G., Olthoff J. K., Wang Y. J. Electron Interaction with CCl2F2 // Phys. Chem. Ref. Data. 1997. V. 26. No 5. P. 1205–1237.
3. Stoffels W. W., Stoffels E., Haverlag M. The chemistry of a CCl2F2 radio frequency discharge // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V. 13. No 4. P. 2058–2066.
4. Lee S.-K., Chun S.-S., Hwang C., Lee W.-J. Reactive ion etching mechanism of copper film in chlorine-based electron cyclotron resonance plasma // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 50–55.
5. Дунаев А. В., Мурин Д. Б. Кинетика травления меди в ВЧ разряде фреона R 12 // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. № 4. С. 284–289.
6. Дунаев А. В. Исследование поверхности GaAs после травления в плазме смесей HCl/Ar, HCl/Cl2, HCl/H2, методом атомно-силовой микроскопии // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 1. С. 17–22.
7. Rawal D. S., Sehgal B. K., Muralidharan R., Malik H. K. Experimental Study of the Influence of Process Pressure and Gas Composition on GaAs Etching Characteristics in Cl2/BCl3-Based Inductively Coupled Plasma // Plasma Science and Technology. V. 13. No 2. 2011. P. 223–229.
8. Efremov A. M., Pivovarenok S. A., Svettsov V. I. Kinetics and Mechanism of Cl2 or HCl Plasma Etching of Copper // Thin Films. 2007. V. 36. No 6. P. 358–365.
