All
 
|
 
 


Mechanism of Formation of Inter-Block Boundaries, Effect of Changing the Disorientation Vector Sign Along Torn Inter-Block Boundaries in Nanothin Spacial Dissipative Structures
 
PIIS086956520000846-3-1
DOI10.31857/S086956520000045-2
Publication type Article
Status Published
Authors
Vyacheslav Malkov 
Affiliation: The Institute of High Temperature Electrochemistry of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Irina Nikolaenko
Affiliation: The Institute of Solid State Chemistry of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Gennadii Shveikin
Affiliation: The Institute of Solid State Chemistry of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Vladimir Pushin
Affiliation: M.N. Mikheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Andrey Malkov
Affiliation:
Boris Shulgin
Affiliation: Ural Federal University named after B.N. Yeltsin
Oleg Malkov
Affiliation:
Journal nameDoklady Akademii nauk
EditionVolume 481 Issue 1
Pages27-29
Abstract

The processes of formation of torn inter-block boundaries are studied using the analysis of the patterns of flexural extinction contours present on the electron microscopic images of nanothin (~ 80 nm) spatial dissipative structures (SDS) of hexagonal selenium − nanothin crystals of hexagonal selenium with elastic rotational curvature of the lattice around [001]. The effect of the disorientation vector sign variation along torn inter-block torsion boundaries was observed. A model is being developed for the formation of inter-block torsion boundaries in nanothin SDS of selenium, the lattice of which undergoes an elastic rotational curvature around [001].

Keywordsinter-block boundary, electron microscopy, nanothin spatial dissipative structure, selenium
Received10.09.2018
Publication date13.09.2018
Number of characters8220
Cite  
100 rub.
When subscribing to an article or issue, the user can download PDF, evaluate the publication or contact the author. Need to register.
Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной
1 Известно, что зарождение межблочной границы кручения в центральной части нанотонкой пространственной диссипативной структуры (ПДС) - нанотонкого кристалла гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решетки вокруг [001], обусловлено релаксацией неоднородного упругого ротационного искривления решетки нанотонкой ПДС гексагонального селена вокруг [001] в части нанотонкой ПДС [16]. Исследования разориентировок решетки вдоль оборванных межблочных границ, проведенные с помощью метода изгибных контуров [46], позволили установить, что межблочные границы в нанотонких пространственных диссипативных структурах гексагонального селена границы кручения с изменяющимся вдоль границы модулем вектора разориентировки || [5, 6]. Порядок чередования изгибных экстинкционных контуров вдоль границы, для границ кручения, с изменяющимся вдоль границы ||, остается неизменным [5, 6]. С учетом вышеизложенного, проведены дальнейшие исследования оборванных межблочных границ, сформировавшихся в нанотонких ПДС гексагонального селена.
2

На электронно-микроскопическом изображении ромбовидной нанотонкой ПДС гексагонального селена, решетка которой испытывает неоднородное упругое ротационное искривление вокруг [001], совпадающего с короткой диагональю ромба, присутствует система изгибных экстинкционных контуров параллельных [001] (рис. 1 а). Образование оборванной границы кручения приводит к сдвигу изгибных контуров, расположенных в одном из блоков нанотонкой ПДС (блок А), по отношению к изгибным контурам в другом блоке (блок Б) (рис. 1 а, b). Изучение электронно-микроскопических изображений нанотонкой ПДС (рис. 1 а, c, d), в которой сформировалась оборванная граница (рис. 1 а, b), Е и Е – точки начала и конца оборванной границы, соответственно (рис. 1 b), позволяет обнаружить сдвиг параллельно расположенных изгибных контуров с изменением порядка их чередования. Оборванная граница делит нанотонкую ПДС на различающиеся по ориентировке блоки А и В, которые по порядку чередования контуров можно разделить на три, в общем случае, неравные части (1, 2 и 3). На рис. 1 а в части (А В) контур блока А опережает соответствующий контур блока В, что хорошо видно на темнопольном изображении нанотонкой ПДС, полученном в рефлексе (рис. 1 c). В части (А В) происходит переход значений вектора разориентировки решетки в соседних блоках (А и В) от положительных значений к отрицательным. В части (А В) изгибной экстинкционный контур  блока А отстает от соответствующего контура блока В, о чем свидетельствует изображение нанотонкой ПДС в темном поле, полученное в рефлексе (рис. 2 d). Такое расположение изгибных контуров вдоль границы ЕЕсоответствует границе кручения с переменным вектором разориентировки , модуль и знак которого изменяется вдоль границы [7].

Number of purchasers: 0, views: 1795

Readers community rating: votes 0 

1. Malkov V.B., Nikolaenko I.V., Shvejkin G.P., Pushin V.G., Malkov A.V., Shul'gin B.V., Malkov O.V., Plaksin S.V. Sposob polucheniya dissipativnykh struktur. Patent RF 2637396 ot 04.12.2017. 
2. Bolotov I.E., Kozhin A.V., Mel'nikov P.S. Ehlektronno–mikroskopicheskoe izuchenie blokoobrazovaniya v tonkikh kristallakh selena v protsesse ikh rosta. Izv. AN SSSR, ser. fizicheskaya, 1977. T. 41. № 5. S. 1065–1067
3. Malkov V.B., Malkov A.V., Malkov O.V., Pushin V.G., Shul'gin B.V., Agalakov S.P. Yavlenie uprugogo rotatsionnogo iskrivleniya reshetki nanotonkikh kristallov geksagonal'nogo selena vokrug [001] v ramkakh nesimmetrichnoj teorii uprugosti. Sb. dokl. Khar'kovskoj nanotekhnol. assamblei-2008, Khar'kov, Ukraina, 26−30 maya 2008. T. 2. 2008. C. 18–23.
4. Bolotov I.E., Kolosov V.Yu. Investigation of Crystals Based on Bend-Contour Arrangement. 1 Relationship between Bend-Contour Arrangement and Bend Geometry. Phys. Stat. Sol(a), 1982. V. 69. № 1. P. 85–96.
5. Bolotov I.E., Kolosov V.Yu. and Malkov V.B. Electron Microscopy Investigation of Crystals Based on Bend-Contour Arrangement 3. Formation of Subgrain Boundaries in Dislocation-Free Crystals of Selenium. Phys. Stat. Sol.(a), 1986. V. 95. P. 377-383.
6. Bolotov I.E., Kolosov V.Yu., Malkov V.B. Novyj tip mezhblochnykh granits v tonkoplenochnykh kristallakh selena. Kristallografiya, 1986. T 1. Vyp.1. S. 204–206.
7. Malkov V.B. Malkov A.V., Pushin V.G., Strekalovskij V.N., Malkov O.V. Sposob diagnostiki ehffekta izmeneniya znaka vektora razorientirovki vdol' mezhblochnykh granits v nanotonkikh kristallakh. Patent RF 2534719 ot 20.07.2012.
8. Likhachev V.A. Kooperativnaya plastichnost', obuslovlennaya dvizheniem granits razorientatsii i granits razdela faz. Izv. vuzov, 1982. № 6. S. 83–102.

(Fig_1.jpg, 200 Kb) [Download]

Система Orphus

Loading...
Up