Механизм формирования межблочных границ, эффект изменения знака вектора разориентировки вдоль оборванных межблочных границ в нанотонких пространственных диссипативных структурах

 
Код статьиS086956520000846-3-1
DOI10.31857/S086956520000045-2
Тип публикации Статья
Статус публикации Опубликовано
Авторы
Аффилиация: Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук
Аффилиация: Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук
Аффилиация: Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук
Аффилиация: Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
Аффилиация: ЗАО НПЦ «РОСНО»
Аффилиация: Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина
Аффилиация: ЗАО НПЦ «РОСНО»
Название журналаДоклады Академии наук
ВыпускТом 481 Номер 1
Страницы27-29
Аннотация

С помощью анализа картин изгибных экстинкционных контуров, присутствующих на электронно-микроскопических изображениях нанотонких (~80 нм) пространственных диссипативных структур (ПДС) гексагонального селена - нанотонких кристаллов гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решетки вокруг [001], исследуются процессы формирования в них оборванных межблочных границ. Обнаружен эффект изменения знака вектора разориентировки вдоль оборванных межблочных границ кручения. Развивается модель формирования межблочных границ кручения в нанотоких ПДС селена, решетка которых испытывает упругое ротационное искривление вокруг [001].

Ключевые словамежблочная граница, электронная микроскопия, нанотонкая пространственная диссипативная структура, селен
Получено10.09.2018
Дата публикации13.09.2018
Кол-во символов8220
Цитировать  
100 руб.
При оформлении подписки на статью или выпуск пользователь получает возможность скачать PDF, оценить публикацию и связаться с автором. Для оформления подписки требуется авторизация.

Оператором распространения коммерческих препринтов является ООО «Интеграция: ОН»

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.
1 Известно, что зарождение межблочной границы кручения в центральной части нанотонкой пространственной диссипативной структуры (ПДС) - нанотонкого кристалла гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решетки вокруг [001], обусловлено релаксацией неоднородного упругого ротационного искривления решетки нанотонкой ПДС гексагонального селена вокруг [001] в части нанотонкой ПДС [16]. Исследования разориентировок решетки вдоль оборванных межблочных границ, проведенные с помощью метода изгибных контуров [46], позволили установить, что межблочные границы в нанотонких пространственных диссипативных структурах гексагонального селена границы кручения с изменяющимся вдоль границы модулем вектора разориентировки || [5, 6]. Порядок чередования изгибных экстинкционных контуров вдоль границы, для границ кручения, с изменяющимся вдоль границы ||, остается неизменным [5, 6]. С учетом вышеизложенного, проведены дальнейшие исследования оборванных межблочных границ, сформировавшихся в нанотонких ПДС гексагонального селена.
2

На электронно-микроскопическом изображении ромбовидной нанотонкой ПДС гексагонального селена, решетка которой испытывает неоднородное упругое ротационное искривление вокруг [001], совпадающего с короткой диагональю ромба, присутствует система изгибных экстинкционных контуров параллельных [001] (рис. 1 а). Образование оборванной границы кручения приводит к сдвигу изгибных контуров, расположенных в одном из блоков нанотонкой ПДС (блок А), по отношению к изгибным контурам в другом блоке (блок Б) (рис. 1 а, b). Изучение электронно-микроскопических изображений нанотонкой ПДС (рис. 1 а, c, d), в которой сформировалась оборванная граница (рис. 1 а, b), Е и Е – точки начала и конца оборванной границы, соответственно (рис. 1 b), позволяет обнаружить сдвиг параллельно расположенных изгибных контуров с изменением порядка их чередования. Оборванная граница делит нанотонкую ПДС на различающиеся по ориентировке блоки А и В, которые по порядку чередования контуров можно разделить на три, в общем случае, неравные части (1, 2 и 3). На рис. 1 а в части (А В) контур блока А опережает соответствующий контур блока В, что хорошо видно на темнопольном изображении нанотонкой ПДС, полученном в рефлексе (рис. 1 c). В части (А В) происходит переход значений вектора разориентировки решетки в соседних блоках (А и В) от положительных значений к отрицательным. В части (А В) изгибной экстинкционный контур  блока А отстает от соответствующего контура блока В, о чем свидетельствует изображение нанотонкой ПДС в темном поле, полученное в рефлексе (рис. 2 d). Такое расположение изгибных контуров вдоль границы ЕЕсоответствует границе кручения с переменным вектором разориентировки , модуль и знак которого изменяется вдоль границы [7].

Всего подписок: 0, всего просмотров: 1796

Оценка читателей: голосов 0

1. Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Пушин В.Г., Малков А.В., Шульгин Б.В., Малков О.В., Плаксин С.В. Способ получения диссипативных структур. Патент РФ 2637396 от 04.12.2017.

2. Болотов И.Е., Кожин А.В., Мельников П.С. Электронно–микроскопическое изучение блокообразования в тонких кристаллах селена в процессе их роста. Изв. АН СССР, сер. физическая, 1977. Т. 41. № 5. С. 1065–1067

3. Малков В.Б., Малков А.В., Малков О.В., Пушин В.Г., Шульгин Б.В., Агалаков С.П. Явление упругого ротационного искривления решетки нанотонких кристаллов гексагонального селена вокруг [001] в рамках несимметричной теории упругости. Сб. докл. Харьковской нанотехнол. ассамблеи-2008, Харьков, Украина, 26−30 мая 2008. Т. 2. 2008. C. 18–23.

4. Bolotov I.E., Kolosov V.Yu. Investigation of Crystals Based on Bend-Contour Arrangement. 1 Relationship between Bend-Contour Arrangement and Bend Geometry. Phys. Stat. Sol(a), 1982. V. 69. № 1. P. 85–96.

5. Bolotov I.E., Kolosov V.Yu. and Malkov V.B. Electron Microscopy Investigation of Crystals Based on Bend-Contour Arrangement 3. Formation of Subgrain Boundaries in Dislocation-Free Crystals of Selenium. Phys. Stat. Sol.(a), 1986. V. 95. P. 377-383.

6. Болотов И.Е., Колосов В.Ю., Малков В.Б. Новый тип межблочных границ в тонкопленочных кристаллах селена. Кристаллография, 1986. Т 1. Вып.1. С. 204–206.

7. Малков В.Б. Малков А.В., Пушин В.Г., Стрекаловский В.Н., Малков О.В. Способ диагностики эффекта изменения знака вектора разориентировки вдоль межблочных границ в нанотонких кристаллах. Патент РФ 2534719 от 20.07.2012.

8. Лихачев В.А. Кооперативная пластичность, обусловленная движением границ разориентации и границ раздела фаз. Изв. вузов, 1982. № 6. С. 83–102.

Рис. 1. Электронно-микроскопические изображения нанотонкой ПДС гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решетки вокруг [001]: (а) в светлом поле; (b) схема нанотонкой ПДС (Fig_1.jpg, 200 Kb) [Скачать]

Система Orphus

Загрузка...
Вверх