Всего подписок: 0, всего просмотров: 1796
Оценка читателей: голосов 0
1. Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Пушин В.Г., Малков А.В., Шульгин Б.В., Малков О.В., Плаксин С.В. Способ получения диссипативных структур. Патент РФ 2637396 от 04.12.2017.
2. Болотов И.Е., Кожин А.В., Мельников П.С. Электронно–микроскопическое изучение блокообразования в тонких кристаллах селена в процессе их роста. Изв. АН СССР, сер. физическая, 1977. Т. 41. № 5. С. 1065–1067
3. Малков В.Б., Малков А.В., Малков О.В., Пушин В.Г., Шульгин Б.В., Агалаков С.П. Явление упругого ротационного искривления решетки нанотонких кристаллов гексагонального селена вокруг [001] в рамках несимметричной теории упругости. Сб. докл. Харьковской нанотехнол. ассамблеи-2008, Харьков, Украина, 26−30 мая 2008. Т. 2. 2008. C. 18–23.
4. Bolotov I.E., Kolosov V.Yu. Investigation of Crystals Based on Bend-Contour Arrangement. 1 Relationship between Bend-Contour Arrangement and Bend Geometry. Phys. Stat. Sol(a), 1982. V. 69. № 1. P. 85–96.
5. Bolotov I.E., Kolosov V.Yu. and Malkov V.B. Electron Microscopy Investigation of Crystals Based on Bend-Contour Arrangement 3. Formation of Subgrain Boundaries in Dislocation-Free Crystals of Selenium. Phys. Stat. Sol.(a), 1986. V. 95. P. 377-383.
6. Болотов И.Е., Колосов В.Ю., Малков В.Б. Новый тип межблочных границ в тонкопленочных кристаллах селена. Кристаллография, 1986. Т 1. Вып.1. С. 204–206.
7. Малков В.Б. Малков А.В., Пушин В.Г., Стрекаловский В.Н., Малков О.В. Способ диагностики эффекта изменения знака вектора разориентировки вдоль межблочных границ в нанотонких кристаллах. Патент РФ 2534719 от 20.07.2012.
8. Лихачев В.А. Кооперативная пластичность, обусловленная движением границ разориентации и границ раздела фаз. Изв. вузов, 1982. № 6. С. 83–102.
Рис. 1. Электронно-микроскопические изображения нанотонкой ПДС гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решетки вокруг [001]: (а) в светлом поле; (b) схема нанотонкой ПДС (Fig_1.jpg, 200 Kb) [Скачать]