Однокристальный приемный модуль со встроенной антенной на диапазоне частот 66–67 ГГц для систем сотовой связи 5G

Работа посвящена разработке и исследованиям однокристального приемного модуля со встроенной антенной, построенного по HEMT-технологии на основе наногетероструктур GaN на подложках сапфира. Модуль предназначен для работы в диапазоне 66–67 ГГц и может быть использован для систем сотовой связи 5G. Измерения изготовленных образцов показали его работоспособность в диапазоне 66–67 ГГц и достижение выходной мощности в передающем тракте более 10 дБм, а диапазона перестройки гетеродина — более 2 ГГц.

Ключевые слова

нитрид галлия, HEMT, приемный модуль, приемопередающий модуль, система-на-кристалле, генератор, МШУ, антенна

Получено

02.12.2018

Дата публикации

03.12.2018

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Крапухин Д. В. , Зуев А. В. , Федоров Ю. В. , Матвеенко О. С. , Мальцев П. П. , Гнатюк Д. Л. Однокристальный приемный модуль со встроенной антенной на диапазоне частот 66–67 ГГц для систем сотовой связи 5G // Научное приборостроение – 2018. – Tом 28. – Номер 4 C. 23-29 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/np/s207751800000085-2-1-ru (дата обращения: 24.04.2024).
MLA	Krapukhin, Dmitriy, Zuev, A., Fedorov, Yu, Matveenko, O., Maltsev, P., Gnatyuk, D. "Single-chip receiving module with built-in antenna for the frequency range 66–67 GHz for 5G communication systems." Nauchnoe priborostroenie 28.4 (2018):23-29.
APA	Krapukhin D., Zuev A., Fedorov Y., Matveenko O., Maltsev P., Gnatyuk D. (2018). Single-chip receiving module with built-in antenna for the frequency range 66–67 GHz for 5G communication systems. Nauchnoe priborostroenie 28(4), pp.23-29

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1253

Оценка читателей: голосов 0

1. Maltsev P.P. [The prospects of creation it is system-acrystal for the microwave oven and KVCh of ranges of frequencies on gallium arsenide]. Nano- i mikrosistemnaya tekhnika [Nano- and microsystems technology], 2013, no. 4, pp. 40–48. (In Russ.).

2. Fedorov Yu.V., Maltsev P.P., Matveenko O.S., Gnatyuk D.L., Krapuhin D.V., Putintsev B.G., Pavlov A.Yu., Zuev A.V. [MMIC amplifiers with built-in antennas based on nano-heterostructures]. Nanoindustriya [Nanoindustry], 2015, no. 3, pp. 44–51. (In Russ.).

3. Maltsev P.P., Matveenko O.S., Fedorov Yu.V., Gnatyuk D.L., Krapuhin D.V., Zuev A.V., Bunegina S.L. [Monolithic integrated circuit of the amplifier with the built-in antenna for the five-millimetric range of lengths of waves]. Nano- i mikrosistemnaya tekhnika [Nano- and microsystems technology], 2014, no. 9, pp. 12–15. (In Russ.).

4. Bugaev A.S., Enyushkina E.N., Arutyunyan S.S., Ivanova N.E., Glinskij I.A., Tomosh K.N. [Development of technology of formation of the general earth on the active surface of the monolithic integrated circuit of the amplifier of power on nitride heterostructures]. Fundamental'nye problemy radioehlektronnogo priborostroeniya [Fundamental problems of radioengineering and device construction], 2016, vol. 16, no. 4, pp. 45–48. (In Russ.).

5. Tomosh K.N., Pavlov A.Yu., Pavlov V.Yu., Habibullin R.A., Arutyunyan S.S., Maltsev P.P. [Research of processes of production HEMT Al-GaN/AlN/GaN with passivation Si3N4 in situ]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Physics and equipment of semiconductors], 2016, vol. 50, no. 10, pp. 1434–1438. (In Russ.).

6. Maltsev P.P., Fedorov Yu.V., Gnatyuk D.L., Matveenko O.S., Zuev A.V. Integral'nyj antennyj ehlement so vstroennym usilitelem dlya diapazona 57–64 GHz [Integrated antenna element with the built-in amplifier for the range of 57–64 GHz]. Certificate on the state registration no. 2015630131. Moscow, 12.12.2015. (In Russ.).

7. Krapuhin D.V. [Low-noise amplifiers of the range of 60 GHz. Review of world commercial developments]. Nanoi mikrosistemnaya tekhnika [Nano- and microsystems technology], 2016, no. 12, pp. 759–766. (In Russ.).

8. Krapuhin D.V., Maltsev P.P. [Monolithic integrated circuit of the low-noise amplifier on gallium nitride for the range of 57–64 GHz]. Rossijskij tekhnologicheskij zhurnal [Russian technological journal], 2016, vol. 4, no. 4, pp. 42– 53. (In Russ.).

9. Krapuhin D.V. Monolitnaya integral'naya skhema maloshumyashchego usilitelya na nitride galliya dlya diapazona 57–64 GHz. Avtoref. diss. kand. techn. nauk [Monolithic integrated circuit of the low-noise amplifier on gallium nitride for the range of 57-64 GHz. Autoref. cand. techn. sci. diss.] Moscow, 2001. 27 p. (In Russ.).