О расчете напряжения зажигания обратного дугового разряда в высоковольтном плазменном термоэмиссонном диоде

 
Код статьиS000233100002369-9-1
DOI10.31857/S000233100002369-9
Тип публикации Статья
Статус публикации Опубликовано
Авторы
Аффилиация: Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана
Адрес: Российская Федерация, Москва
Аффилиация: Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана
Адрес: Российская Федерация, Москва
Аффилиация: Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана
Адрес: Российская Федерация, Москва
Аффилиация: Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана
Адрес: Российская Федерация, Москва
Аффилиация: Ракетно-космическая корпорация «Энергия» имени С.П. Королёва
Адрес: Российская Федерация, Королев
Аффилиация: Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана
Адрес: Российская Федерация, Москва
Название журналаИзвестия Российской академии наук. Энергетика
ВыпускВыпуск 4
Страницы108-115
Аннотация

Разработка мощных энергодвигательных установок (ЭДУ) для космических аппаратов связана с созданием высокотемпературных радиационно-стойких систем преобразования тока (СПТ), выполненных на термоэмиссионных приборах плазменной электроэнергетики – сеточных ключевых элементах (СКЭ) и высоковольтных плазменных термоэмиссионных диодах (ВПТД). СПТ необходима для согласования электрических параметров термоэмиссионного реактора-преобразователя (выходное напряжение 120–150 В) с параметрами электроракетного двигателя (рабочее напряжение сотни – тысячи вольт).

В этой связи актуален вопрос расчета напряжения зажигания обратного дугового разряда в межэлектродном зазоре (МЭЗ) ВПТД. В работе получена полуэмпирическая зависимость для расчета напряжения зажигания обратного дугового разряда в зависимости от давления пара цезия в МЭЗ и температуры анода. Полученная зависимость может быть использована разработчиками приборов термоэмиссионной плазменной электроэнергетики.

Ключевые словамежэлектродный зазор, высоковольтный плазменный термоэмиссионный диод, напряженность электрического поля, напряжение зажигания обратного дугового разряда, давление пара
Получено27.11.2018
Дата публикации04.12.2018
Цитировать   Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться
Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1542

Оценка читателей: голосов 0

1. Островский В.Г, Синявский В.В., Сухов Ю.И. Межорбитальный электроракетный буксир «Геркулес» на основе термоэмиссионной ядерно-энергетической установки // «Космонавтика и ракетостроение». 2016. № 2 (87). С. 68–74.

2. Онуфриев В.В., Гришин С.Д., Марахтанов М.К., Синявский В.В. Выбор параметров систем преобразования тока в космических ЯЭУ большой мощности // Атомная энергия. 2000. Т. 89. Вып.1. С. 78–81.

3. Лошкарев А.И., Онуфриев В.В., Синявский В.В. Электроэнергетические характеристики термоэмиссионного высоковольтного диода космических энергодвигательных установок // Изв. РАН. Энергетика 2006. № 1. С. 87–97.

4. Онуфриев В.В., Лошкарев А.И., Синявский В.В. Электроэнергетические характеристики термоэмиссионного высоковольтного диода для космических энергодвигательных установок // Изв. РАН. Энергетика. 2006. № 1. С. 87–97.

5. Онуфриева Е.В., Синявский В.В., Онуфриев В.В. Высокотемпературные системы преобразования тока перспективных космических энергодвигательных установок // Изв. РАН. Энергетика. 2009. № 4. С. 137–144.

6. Синявский В.В. Ядерная энергетика в околоземном космосе // Земля и Вселенная. 2015. № 3. С. 36–47.

7. Онуфриев В.В., Гришин С.Д. Экспериментальное исследование электрической прочности к обратному дуговому пробою термоэмиссионного диода с цезиевым наполнением // Теплофизика высоких температур. 1996. Т. 34. № 3. С. 482–485.

8. Оnufriyev V.V. The Results of Investigations of High Temperature High Voltage Thermion Diode // Proceed. Intern. Energy Conversion Engin. Conf. (IECEC2000). Las Vegas (NV), 2000. P. 290–296.

9. Онуфриев В.В., Лошкарев А.И. Зажигание обратного дугового разряда в цезиевом термоэмиссионном диоде // Вестник МГТУ. Естественные науки. 2003. № 2. С. 90–102.

10. Онуфриев В.В., Лошкарев А.И. Зажигание обратного дугового разряда в бариевом термоэмиссионном диоде // Вестник МГТУ. Естественные науки. 2005. № 1. С. 72–77.

11. Онуфриева Е.В., Онуфриев В.В., Гришин Ю.М., Сидняев Н.И., Синявский В.В., Ивашкин А.Б. О расчете характеристик разряда в высоковольтном плазменном термоэмиссионном диоде в режиме обратного тока // Изв. РАН. Энергетика. 2017. № 6. С. 87–96.

12. Грановский В.Л. Электрический ток в газе. Установившийся ток. М.: Наука, 1971. 543 с.

13. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 2009. 736 с.

14. Гиршфельдер Дж., Кертис Ч., Берд Д. Молекулярная теория газов и жидкостей. М.: ИЛ. 1961. 915 с.

15. Davies R.H., Mason E.A., Munn R.J. High-Temperature Transport Properties of Alkali Metal Vapors // The Physics of Fluids. 1965.V.5. № 3. P. 444–452.

16. Любимов Г.А. Приэлектродные слои резкого изменения потенциала на «горячих» электродах. (Обзор) // Теплофизика высоких температур. 1996. Т. 4. Вып. 1. С. 120–132.

Система Orphus

Загрузка...
Вверх