Doklady Akademii naukIssue 5Causes of Por-Si Photoluminescence Peaks in the Range λ = 460–700 nm
views: 1167
Readers community rating: votes 0
1. Handbook of Porous Silicon (ed. L. Canham). Springer Intern. Publ., Switzerland: 2014. 1024 p.
2. Canham I. T. Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57, № 10. P. 1046–1048.
3. Yuzova V. A., Levitskij A. A., Kharlashin P. A. Razvitie tekhnologii polucheniya i issledovaniya poristogo kremniya // Zhurn. Sib. Federal. unta. Ser. Inzh. i tekhnol. 2011. T. 4. № 1. S. 92–112.
4. Ischenko A. A., Fetisov G. V., Aslanov P. A. Nanokremnij: svojstva, poluchenie, primenenie, metody ispol'zovaniya i kontrolya. M.: Fizmatlit, 2011. 648 s.
5. Len'shin A. S., Kashkarov V. M., Seredin P. V., Spivak Yu. M., Moshnikov V. A.. Issledovanie ehlektronnogo stroeniya i khimicheskogo sostava poristogo kremniya, poluchennogo na podlozhkakh n- i r-tipa, metodami XANES i IK‑spektroskopii // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 2011. T. 45. № 9. S. 1229–1234.
6. Blonskij I. V., Brodin M. S., Vakhnin A. Yu., Zhugaevich A. Ya., Kadin V. N., Kadaschuk A. K. Vliyanie neodnorodnosti struktury na lyuminestsentnye svojstva nanokristallitov // Fizika nizkikh temperatur. 2002. T. 28. № 8–9. S. 978–987.
7. Abramova E. N., Khort A. M., Yakovenko A. G., Sorokin T. A., Shvets V. I. Osobennost' fotolyuminestsentsii sloyov poristogo kremniya, podvergnutykh termicheskomu otzhigu // DAN. 2017. T. 474. № 3. S. 303–305.
8. Abramova E. N., Khort A. M., Yakovenko A. G., Shvets V. I. Formirovanie nanopor v protsesse ehlektroliticheskogo travleniya kremniya v rastvorakh ftoristovodorodnoj kisloty // Neorgan. materialy. 2015. T. 51. № 8. S. 815–822.
9. Abramova E. N., Gvelesiani A. A., Khort A. M., Yakovenko A. G. Vliyanie kontsentratsii ftoristovodorodnoj kisloty na obrazovanie nanopor v kremnii v khode ehlektroliticheskogo travleniya // ZhNKh. 2014. T. 59. № 11. S. 1574–1578.
