Природа пиков фотолюминесценции пористого кремния в интервале длин волн 460–700 нм

Исследовали изменение пиков фотолюминесценции пористого кремния при λ = 640–670 нм и λ = 540–560 нм при температурах 300 и 77 K, а также их поведение после низкотемпературного отжига образцов при T = 500 °C. Изменение пиков коррелировало с таковым спектров ИК‑спектроскопии. На основе полученных данных пик при 640–670 нм мы объясняем наличием на поверхности слоев пористого кремния групп Si-OH, а пик при 540–560 нм — фотолюминесценцией самой кремниевой матрицы.

Ключевые слова

Источник финансирования

Результаты получены в рамках Государственного задания Министерства образования и науки Российской Федерации № 11.9672.2017 БЧ и гранта Президента РФ по государственной поддержке ведущих научных школ РФ (НШ‑7946.2016.11).

Получено

30.10.2018

Дата публикации

30.10.2018

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Хорт А. М. , Швец В. И. , Сорокин Т. А. , Сыров Ю. В. , Цыганкова М. В. , Яковенко А. Г. , Абрамова Е. Н. Природа пиков фотолюминесценции пористого кремния в интервале длин волн 460–700 нм // Доклады Академии наук – 2018. – Tом 481. – Номер 5 C. 503-506 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/dan/s207987840001351-5-1 (дата обращения: 27.04.2024). DOI: 10.31857/S086956520002132-8
MLA	Khort, A., Shvets, V., Sorokin, T., Syrov, Yu, Tsygankova, M., Yakovenko, A., Abramova, E. "Causes of Por-Si Photoluminescence Peaks in the Range λ = 460–700 nm." Doklady Akademii nauk 481.5 (2018):503-506. DOI: 10.31857/S086956520002132-8
APA	Khort A., Shvets V., Sorokin T., Syrov Y., Tsygankova M., Yakovenko A., Abramova E. (2018). Causes of Por-Si Photoluminescence Peaks in the Range λ = 460–700 nm. Doklady Akademii nauk 481(5), pp.503-506 DOI: 10.31857/S086956520002132-8

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1172

Оценка читателей: голосов 0

1. Handbook of Porous Silicon (ed. L. Canham). Springer Intern. Publ., Switzerland: 2014. 1024 p.

2. Canham I. T. Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57, № 10. P. 1046–1048.

3. Юзова В. А., Левицкий А. А., Харлашин П. А. Развитие технологии получения и исследования пористого кремния // Журн. Сиб. Федерал. унта. Сер. Инж. и технол. 2011. Т. 4. № 1. С. 92–112.

4. Ищенко А. А., Фетисов Г. В., Асланов П. А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы использования и контроля. М.: Физматлит, 2011. 648 с.

5. Леньшин А. С., Кашкаров В. М., Середин П. В., Спивак Ю. М., Мошников В. А.. Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и р-типа, методами XANES и ИК‑спектроскопии // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 9. С. 1229–1234.

6. Блонский И. В., Бродин М. С., Вахнин А. Ю., Жугаевич А. Я., Кадин В. Н., Кадащук А. К. Влияние неоднородности структуры на люминесцентные свойства нанокристаллитов // Физика низких температур. 2002. Т. 28. № 8–9. С. 978–987.

7. Абрамова Е. Н., Хорт А. М., Яковенко А. Г., Сорокин Т. А., Швец В. И. Особенность фотолюминесценции слоёв пористого кремния, подвергнутых термическому отжигу // ДАН. 2017. Т. 474. № 3. С. 303–305.

8. Абрамова Е. Н., Хорт А. М., Яковенко А. Г., Швец В. И. Формирование нанопор в процессе электролитического травления кремния в растворах фтористоводородной кислоты // Неорган. материалы. 2015. Т. 51. № 8. С. 815–822.

9. Абрамова Е. Н., Гвелесиани А. А., Хорт А. М., Яковенко А. Г. Влияние концентрации фтористоводородной кислоты на образование нанопор в кремнии в ходе электролитического травления // ЖНХ. 2014. Т. 59. № 11. С. 1574–1578.