Гигантский рост электропроводности высокоомного пленочного полупроводника MoS2 при непрерывной инжекции его протонами

Должность: зав. Лабораторией 12 «Физико- химии тугоплавких и редких металлов и сплавов ИМЕТ РАН»
Аффилиация: Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН

Кононов Михаил Анатольевич

Аффилиация: Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН

Лаченков Сергей Анатольевич

Аффилиация: Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН

Название журнала

Доклады Академии наук

Выпуск

Том 481 Номер 2

Страницы

141-144

Аннотация

Впервые обнаружен хорошо воспроизводимый эффект гигантского возрастания (в 10 000 раз) электропроводности плёночного образца высокоомного полупроводника MoS2 со слоистой структурой при непрерывном инжектировании в него протонов в условиях установившегося динамического равновесия и его исчезновения с прекращением инжектирования. Обращается внимание на возможность управления составом и свойствами вещества допированием его носителями зарядов, разных по знаку, массе и энергии, наряду с традиционным допированием химическими элементами.

Ключевые слова

Ионный источник, ионы водорода, протоны, полупроводник, электропроводность, тонкие пленки

Источник финансирования

Работа выполнялась по государственному заданию №007-00129-18-00 при поддержке Программы: IV.5.2. «Металлические и композиционные материалы».

Получено

12.10.2018

Дата публикации

14.10.2018

Кол-во символов

536

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Бурханов Г. С. , Кононов М. А. , Лаченков С. А. Гигантский рост электропроводности высокоомного пленочного полупроводника MoS2 при непрерывной инжекции его протонами // Доклады Академии наук – 2018. – Tом 481. – Номер 2 C. 141-144 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/dan/s207987840000827-8-1-ru (дата обращения: 04.05.2024). DOI: 10.31857/S086956520001191-3
MLA	Burkhanov, G., Kononov, M., Lachenkov, S. "Giant Increase in the Electrical Conductivity of High Resistive Film MoS2 Semiconductor upon Continuous Protons Injection." Doklady Akademii nauk 481.2 (2018):141-144. DOI: 10.31857/S086956520001191-3
APA	Burkhanov G., Kononov M., Lachenkov S. (2018). Giant Increase in the Electrical Conductivity of High Resistive Film MoS2 Semiconductor upon Continuous Protons Injection. Doklady Akademii nauk 481(2), pp.141-144 DOI: 10.31857/S086956520001191-3

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1334

Оценка читателей: голосов 0

1. Ye J.T., Zhang Y.J., Akashi R., Bahramy M.S., Arita R., Iwasa Y. Superconducting Dome in a Gate-Tuned Band Insulator // Science. 2012. V. 338 P.1193-1196.

2. Петеркоп Р.К. Теория ионизации атомов электронным ударом. Рига: Зинатне, 1975. 190 с.

3. И. Мак-Даниель И. Процессы столкновений в ионизованных газах. М.: Мир, 1967. 832 с.

4. Бурханов Г.С., Лаченков С.А., Кононов М.А., Власенко В.А., Михайлова А.Б., Кореновский Н.Л. Интеркалирование водородом веществ со слоистой кристаллической структурой FeSe и MoS2 // Перспектив. материалы. 2017 №1. с. 54-60.