Моделирование электронно-фононного взаимодействия в кремнии

Аффилиация: Федеральное государственное учреждение «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной математики имени М.В. Келдыша РАН»
Адрес: Российская Федерация

Волков Ю. А.

Марков М. Б.

Тараканов И. А.

Название журнала

Математическое моделирование

Выпуск

Том 30 номер 12

Страницы

3-16

Аннотация

Рассматриваются процессы переноса заряда в полупроводниках. Модель строится на основе квантовых кинетических уравнений для функций распределения электронов проводимости и дырок валентной зоны в фазовом пространстве координат и квазиимпульсов. Рассеяние носителей заряда моделируется статистическим методом частиц. Рассмотрены основные процессы рассеяния электронов на неидеальностях решетки. Приведены результаты расчетов дрейфовой скорости электронов в чистом и легированном кремнии.

Ключевые слова

кинетические уравнения, метод частиц, частота рассеяния, дрейфовая скорость

Источник финансирования

Работа выполнена при поддержке РФФИ, проект 17-01-00301 А.

Получено

10.11.2018

Дата публикации

30.11.2018

Цитировать Скачать pdf Для скачивания PDF необходимо авторизоваться

ГОСТ	Березин А. В. , Волков Ю. А. , Марков М. Б. , Тараканов И. А. Моделирование электронно-фононного взаимодействия в кремнии // Математическое моделирование – 2018. – Tом 30. – номер 12 C. 3-16 [Электронный ресурс]. URL: http://ras.jes.su/mmod/s207987840001164-9-1 (дата обращения: 25.04.2024). DOI: 10.31857/S023408790001933-0
MLA	Berezin, A., Volkov, Yu, Markov, M., Tarakanov, I. "The simulation of the electron-phonon interaction in silicon." Matematicheskoe modelirovanie 30.12 (2018):3-16. DOI: 10.31857/S023408790001933-0
APA	Berezin A., Volkov Y., Markov M., Tarakanov I. (2018). The simulation of the electron-phonon interaction in silicon. Matematicheskoe modelirovanie 30(12), pp.3-16 DOI: 10.31857/S023408790001933-0

Размещенный ниже текст является ознакомительной версией и может не соответствовать печатной.

всего просмотров: 1191

Оценка читателей: голосов 0

1. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978, 616 с.

2. M.V. Fischetti, W.G .Vandenberghe. Edvanced Physics of Electron. Transport in Semiconductors and Nanostructures. Springer, 2016, 474 p.

3. P. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Springer Science & Business Media, 2010, 795p.

4. Р. Хокни, Дж. Иствуд. Численное моделирование методом частиц. М.: Мир. 1987, 638с.

5. M.V. Fischetti. Monte Carlo simulation of transport in technologically significant semiconductors of the diamond and zinc-blende structures // IEEE Trans. Electron Devices. 1991, v.38, p.634.

6. X. Wang, V. Chandarmouli, C.M. Mazar, A.F. Tasch. Simulation program suitable for hot carrier studies: An efficient multiband Monte Carlo model using both full and analytic band structure description for silicon // J. Appl. Phys. 1993, v.73, p.3339.

7. C. Jacoboni, L. Reggiani. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials // Rev. Mod. Phys., 1983, v.55 (3), p.645.

8. M.V. Fischetti. Monte Carlo solution to the problem of high-field electron heating in SiO2 // Phys. Rev. Letters, 1984, v.53, p.1755-1758.

9. M.V. Fischetti., S.E. Laux. Monte Carlo analysis of electron transport in small semiconductor devices including band structure and space-charge effects // Phys. Rev. B., 1988, v.38, p.9721-9745.

10. H.A. Баннов, В.И. Рыжий, Ю.А. Волков. Методы макрочастиц в математическом моделировании элементов интегральных схем // Микроэлектроника. 1987, т.16, №3, с.210-219.

11. T. Kunikiyo, M. Takenaka, Y. Kamakura, M. Yamaji, H. Mizuno. A Monte Carlo simulation of anisotropic electron transport in silicon including full band structure and anisotropic impact ionization model // J. Appl. Phys. 1995, v.75, p.297-312.

12. А.И. Чумаков. Действие космической радиации на интегральные схемы. – М.: Радио и связь, 2004, 319 с.

13. А.И. Чумаков. Взаимодействие ионизирующих излучений с веществом // Радиационная стойкость изделий ЭКБ / Ред. Чумаков А.И.  М.: НИЯУ МИФИ, 2015, 512 с.

14. А.В. Березин, А.С. Воронцов, М.Е. Жуковский, М.Б. Марков, С.В. Паротькин. Метод частиц для электронов в рассеивающей среде // ЖВМ и МФ, 2015, т.55, № 9, с.1566-1578.

15. Е. Соnwеll, V.F. Wеisskоpf. Theory of impurity scattering in semiconductors // Phys. Rev., 1950, v.77, p.388.

16. И.М. Соболь. Численные методы Монте-Карло.  М.: Наука, 1973, 312 с.

17. С.К. Годунов, Т.Ю. Михайлова. Представления группы вращений и сферические функции.  Новосибирск: Научная книга, 1998, 197 с.

18. Б.М. Смирнов. Кинетика электронов в газах и конденсированных системах // УФН, 2002, т.172, с.1411-1447.

19. C. Canali, C. Jacobini, F. Nava, G. Ottavini, A.A. Quaranta. Electron drift velocity in silicon // Phys. Rev., 1975, v.12, p.2265.